แรม(RAM) สามารถแบ่งออกได้เป็น 2 ประเภท ดังนี้
1.Static RAM (SRAM) ทำจากวงจรที่ใช้การเก็บข้อมูลด้วยสถานะ "มีไฟ" กับ "ไม่มีไฟ" ซึ่งจะเก็บข้อมูลไว้ได้ตลอดเวลา ตราบใดที่ยังมีกระแสไฟเลี้ยงวงจรอยู่ นิยมนำไปใช้ทำเป็นหน่วยความจำแคช (Cache) ภายในตัว CPU เพราะมีความเร็วในการทำงานสูงกว่า DRAM มาก แต่ไม่สามารถทำให้มีขนาดความจุสูงๆได้ เนื่องจากมีราคาแพงและกินกระแสไฟมาก จนมักทำให้เกิดความร้อนสูง อีกทั้งวงจรก็ยังมีขนาดใหญ่ด้วย
2.Dynamic RAM (DRAM) ทำจากวงจรที่ใช้การเก็บข้อมูลด้วยสถานะ "มีประจุ" กับ "ไม่มีประจุ" ซึ่งวิธีนี้จะใช้ไฟน้อยกว่า SRAM มาก แต่โดยธรรมชาติแล้วประจุไฟฟ้าจะมีการรั่วไหลออกไปได้เรื่อยๆ ดังนั้น เพื่อให้ DRAM สามารถเก็บข้อมูลไว้ได้ตลอดเวลาตราบเท่าที่ยังมีกระแสไฟฟ้าคอยเลี้ยงวงจรอยู่ จึงต้องมีวงจรอีกส่วนหนึ่งที่คอยทำหน้าที่ "เติมประจุ" ไฟฟ้าให้เป็นระยะๆ ซึ่งกระบวนการเติมประจุไฟฟ้านี้เราเรียกว่า รีเฟรช (Refresh) โดยหน่วยความจำประเภท DRAM นี้ นิยมเอาไปใช้ทำเป็นหน่วยความจำหลักของระบบในรูปแบบของชิปไอซี (Integrated Circuit) บนแผงโมดูลของ RAM หลายหลายชนิด เช่น
SDRAM , DDR , DDR2 , DDR3 และ RDRAM เป็นต้น ซึ่งสามารถออกแบบให้มีขนาดความจุสูงๆได้ ราคาถูก กินไฟน้อยและไม่ทำให้เกิดความร้อนสูง
จงบอกประเภทของรอม(ROM)
รอม(ROM) สามารถแบ่งออกได้เป็น 3 ประเภท ดังนี้
1.PROM (PROGRAMMABLE READ-ONLY MEMORY) ข้อมูลที่ต้องการโปรแกรมจะถูกโปรแกรมโดยผู้ใช้เอง โดยป้อนพัลส์แรงดันสูง (HIGH VOLTAGE PULSED) ทำให้ METAL STRIPS หรือ POLYCRYSTALINE SILICON ที่อยู่ในตัว IC ขาดออกจากกัน ทำให้เกิดเป็นลอจิก “1” หรือ “0” ตามตำแหน่ง ที่กำหนดในหน่วยความจำนั้นๆ เมื่อ PROM ถูกโปรแกรมแล้ว ข้อมูลภายใน จะไม่สามารถเปลี่ยนแปลงได้อีก หน่วยความจำชนิดนี้ จะใช้ในงานที่ใช้ความเร็วสูง ซึ่งความเร็วสูงกว่า หน่วยความจำ ที่โปรแกรมได้ชนิดอื่นๆ
2.EPROM (ERASABLE PROGRAMMABLE READ-ONLY MEMORY) ข้อมูลจะถูกโปรแกรม โดยผู้ใช้โดยการให้สัญญาณ ที่มีแรงดันสูง (HIGH VOLTAGE SIGNAL) ผ่านเข้าไปในตัว EPROM ซึ่งเป็นวิธีเดียวกับที่ใช้ใน PROM แต่ข้อมูลที่อยู่ใน EPROM เปลี่ยนแปลงได้ โดยการลบข้อมูลเดิมที่อยู่ใน EPROM ออกก่อน แล้วค่อยโปรแกรมเข้าไปใหม่ การลบข้อมูลนี้ทำได้ด้วย การฉายแสง อุลตร้าไวโอเลตเข้าไปในตัว IC โดยผ่าน ทางกระจกใส ที่อยู่บนตัว IC เมื่อฉายแสง ครู่หนึ่ง (ประมาณ 5-10 นาที) ข้อมูลที่อยู่ภายใน ก็จะถูกลบทิ้ง ซึ่งช่วงเวลา ที่ฉายแสงนี้ สามารถดูได้จากข้อมูล ที่กำหนด (DATA SHEET) มากับตัว EPROM และ มีความเหมาะสม ที่จะใช้ เมื่องานของระบบ มีโอกาส ที่จะปรับปรุงแก้ไขข้อมูลใหม่
3.EAROM (ELECTRICALLY ALTERABLE READ-ONLY MEMORY) EAROM หรืออีกชื่อหนึ่งว่า EEPROM (ELECTRICAL ERASABLE EPROM) เนื่องจากมีการใช้ไฟฟ้าในการลบข้อมูลใน ROM เพื่อเขียนใหม่ ซึ่งใช้เวลาสั้นกว่าของ EPROM
การลบข้อมูลขึ้นอยู่กับพื้นฐานการใช้เทคโนโลยีที่แตกต่างกัน ดังนั้น EAROM (ELECTRICAL ALTERABLE ROM) จะอยู่บนพื้นฐานของเทคโนโลยีแบบ NMOS ข้อมูลจะถูกโปรแกรมโดยผู้ใช้เหมือนใน EPROM แต่สิ่งที่แตกต่างก็คือ ข้อมูลของ EAROM สามารถลบได้โดยทางไฟฟ้าไม่ใช่โดยการฉายแสงแบบ EPROM
ไม่มีความคิดเห็น:
แสดงความคิดเห็น